ROHM Semiconductor RDX080N50FU6
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RDX080N50FU6
2078-RDX080N50FU6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM
1最小包装量--
RDX080N50FU6详情
ROHM Semiconductor RDX080N50FU6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
安装类型
通孔
底架
通孔
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Power Dissipation (Max)
40W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Ta
已出版
2006
包装
Bulk
操作温度
150°C TJ
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率耗散
40W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
850m Ω @ 4A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
920pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
8A
漏源击穿电压
500V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RDX080N50FU6拓展信息
ROHM Semiconductor
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