RDX080N50FU6
RDX080N50FU6

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ROHM Semiconductor RDX080N50FU6

  • 收藏
  • 对比

型号

RDX080N50FU6

utmel 编号

2078-RDX080N50FU6

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
RDX080N50FU6
RDX080N50FU6 ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

RDX080N50FU6详情

ROHM Semiconductor RDX080N50FU6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    17 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    8A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    40W Tc

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2006

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率耗散

    40W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    850m Ω @ 4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    920pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    28nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    8A

  • 漏源击穿电压

    500V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: ROHM Semiconductor RDX080N50FU6.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RDX080N50FU6相似的参数规格。

查看更多

RDX080N50FU6拓展信息

RU1J002YNTCL
RU1J002YNTCL

ROHM Semiconductor

RTR030N05TL
RTR030N05TL

ROHM Semiconductor

RZM002P02T2L
RZM002P02T2L

ROHM Semiconductor

RYC002N05T316
RYC002N05T316

ROHM Semiconductor

RSD140P06TL
RSD140P06TL

ROHM Semiconductor

RRR040P03TL
RRR040P03TL

ROHM Semiconductor

RJP020N06T100
RJP020N06T100

ROHM Semiconductor

RSM002N06T2L
RSM002N06T2L

ROHM Semiconductor

RS1G180MNTB
RS1G180MNTB

ROHM Semiconductor

RVQ040N05TR
RVQ040N05TR

ROHM Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z