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'rf4e110bntr'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

通道数量

元素配置

操作模式

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

达到SVHC

RoHS状态

无铅

RF4E110BNTR
RF4E110BNTR
ROHM Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-PowerUDFN

8

SILICON

11A Ta

4.5V 10V

1

2W Ta

43 ns

2V @ 250μA

150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2015

活跃

1 (Unlimited)

6

EAR99

DUAL

无铅

未说明

未说明

S-PDSO-N6

1

Single

增强型MOSFET

DRAIN

14 ns

N-Channel

SWITCHING

11.1m Ω @ 11A, 10V

1200pF @ 15V

24nC @ 10V

12ns

30V

±20V

11 ns

11A

20V

44A

30V

not_compliant

ROHS3 Compliant

无铅