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'rf4e110bntr'
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerUDFN | 8 | SILICON | 11A Ta | 4.5V 10V | 1 | 2W Ta | 43 ns | 2V @ 250μA | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | DUAL | 无铅 | 未说明 | 未说明 | S-PDSO-N6 | 1 | Single | 增强型MOSFET | DRAIN | 14 ns | N-Channel | SWITCHING | 11.1m Ω @ 11A, 10V | 1200pF @ 15V | 24nC @ 10V | 12ns | 30V | ±20V | 11 ns | 11A | 20V | 44A | 30V | not_compliant | ROHS3 Compliant | 无铅 |


哦! 它是空的。