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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.867037
10
¥0.817963
100
¥0.771663
500
¥0.72798
1000
¥0.686773
ROHM Semiconductor RF6E045AJTCR
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- 对比
RF6E045AJTCR
2078-RF6E045AJTCR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-SMD, Flat Leads
大陆
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MOSFET N-CHANNEL 30V 4.5A TUMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RF6E045AJTCR详情
ROHM Semiconductor RF6E045AJTCR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Copper, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23.7m Ω @ 4.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.1nC @ 4.5V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
4.5A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.0335Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RF6E045AJTCR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor








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