ROHM Semiconductor RHK005N03T146

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200mW Ta

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

350mOhm

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200mW

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

550m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

45pF @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

500mA

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5A

漏源击穿电压

30V

栅源电压

1 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅