ROHM Semiconductor RHU002N06FRAT106

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4 Ω @ 200mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

200mA

阈值电压

2.5V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏极-源极导通最大电阻

4Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant