ROHM Semiconductor RJ1U330AAFRGTL

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

LPT(S)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

33A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

211W Tc

Turn Off Delay Time

120 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

Automotive, AEC-Q101

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

211W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 16.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

33A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

250V

雪崩能量等级（Eas）

74.8 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

5mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant