ROHM Semiconductor RP1E090RPTR

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16.9m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3000pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

9A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.0294Ohm

漏源击穿电压

-30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant