ROHM Semiconductor RP1H065SPTR

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

31m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3200pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

45V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

6.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.046Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26A

DS 击穿电压-最小值

45V

RoHS状态

ROHS3 Compliant