ROHM Semiconductor RQ1A070APTR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

550mW Ta

已出版

2011

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 7A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7800pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

-8V

连续放电电流(ID)

7A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.014Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant

无铅

无铅