ROHM Semiconductor RQ1A070ZPTR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700mW Ta

Turn Off Delay Time

310 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7400pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 4.5V

上升时间

95ns

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

190 ns

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.012Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

高度

800μm

长度

3mm

宽度

2.8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅