ROHM Semiconductor RQ3E100MNTB1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

31 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12.3m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

520pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.9nC @ 10V

上升时间

17ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant