ROHM Semiconductor RQ3E180BNTB

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

39A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta 20W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.9m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3500pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

37nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18A

漏极-源极导通最大电阻

0.0052Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

23.3 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅