ROHM Semiconductor RQ5A030APTL
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RQ5A030APTL
2078-RQ5A030APTL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-96
大陆
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MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
--最小包装量--
RQ5A030APTL详情
ROHM Semiconductor RQ5A030APTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
引脚数
96
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
44mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
62m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2000pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
-8V
连续放电电流(ID)
3A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
DS 击穿电压-最小值
12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RQ5A030APTL拓展信息
ROHM Semiconductor
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