ROHM Semiconductor RRF015P03TL

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

320mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A Ta

Turn Off Delay Time

40 ns

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

已出版

2012

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

230pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.4nC @ 10V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

1.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.16Ohm

长度

2.1mm

高度

820μm

宽度

1.8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅