ROHM Semiconductor RS1E300GNTB
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RS1E300GNTB
2078-RS1E300GNTB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
--最小包装量--
RS1E300GNTB详情
ROHM Semiconductor RS1E300GNTB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
70.590313mg
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
70.5 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
3W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
21 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
14.8ns
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
27 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
2.5nF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
1.7mOhm
最大rds
2.2 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RS1E300GNTB拓展信息
ROHM Semiconductor
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