ROHM Semiconductor RS3L110ATTB1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

24-WFQFN Exposed Pad

供应商器件包装

24-VFQFPN (4x4)

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Frequency-Max

200MHz, 325MHz

Qualification

-

Continuous Drain Current Id

11A

Number of Elements per Chip

1

Package Type

SOP

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60 V

Typical Turn-On Delay Time

22 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.002926 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Qg - Gate Charge

115 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

12.8 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

315 ns

Id - Continuous Drain Current

11 A

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

1.4W (Ta)

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

PhiClock™

包装

切割胶带

类型

时钟发生器

子类别

MOSFETs

技术

Si

电压 - 供电

1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V

输出量

CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL

引脚数量

8

配置

Single

通道数量

1 Channel

电路数量

1

功率耗散

2W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12.8mOhm @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6300 pF @ 30 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

115 nC @ 10 V

上升时间

66 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

输入

HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 P - Channel

比率-输入：输出

1:6

锁相环

有

差分 - 输入：输出

No/Yes

信道型

P Channel

除法器/乘法器

Yes/No

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET