ROHM Semiconductor RSD080N06TL

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

15W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.4nC @ 10V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.109Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

DS 击穿电压-最小值

60V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅