RSD130P10TL
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ROHM Semiconductor RSD130P10TL

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型号

RSD130P10TL

utmel 编号

2078-RSD130P10TL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 100V 13A SOT428

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RSD130P10TL ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 100V 13A SOT428

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RSD130P10TL详情

ROHM Semiconductor RSD130P10TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    13A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    20W Ta

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    13A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    -100V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor RSD130P10TL.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RSD130P10TL相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation-Max
    RoHS Status
    查看对比:
  • RSD130P10TL

    RSD130P10TL

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    100V

    13 A

    13A (Ta)

    20 V

    20W (Ta)

    ROHS3 Compliant

  • PHD108NQ03LT,118

    -

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    25V

    -

    75A (Tc)

    -

    187W (Tc)

    ROHS3 Compliant

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RSD130P10TL拓展信息

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