ROHM Semiconductor RSD200N10TL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

20W Tc

Turn Off Delay Time

128 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

20W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

52m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48.5nC @ 10V

上升时间

61ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

193 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.059Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

雪崩能量等级（Eas）

85 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant