ROHM Semiconductor RSJ400N10TL
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RSJ400N10TL
2078-RSJ400N10TL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
--最小包装量--
RSJ400N10TL详情
ROHM Semiconductor RSJ400N10TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
83
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.35W Ta 50W Tc
Turn Off Delay Time
205 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
27m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3600pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
90nC @ 10V
上升时间
80ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
250 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.03Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
14.6 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RSJ400N10TL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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