ROHM Semiconductor RSJ650N10TL

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

83

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

640 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

45 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.1m Ω @ 32.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10780pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260nC @ 10V

上升时间

170ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

480 ns

连续放电电流(ID)

65A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0098Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130A

DS 击穿电压-最小值

100V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅