ROHM Semiconductor RSM002P03T2L

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150mW Ta

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.4Ohm

端子表面处理

锡铜

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150mW

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

30pF @ 10V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

-30V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅