ROHM Semiconductor RSQ045N03TR

工厂交货时间

21 Weeks

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

600mW Ta

Turn Off Delay Time

41 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

56MOhm

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

38m Ω @ 4.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

520pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.5nC @ 5V

上升时间

19ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

4.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

高度

950μm

长度

3mm

宽度

1.8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅