ROHM Semiconductor RSS040P03FU6TB
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RSS040P03FU6TB
2078-RSS040P03FU6TB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
--最小包装量--
RSS040P03FU6TB详情
ROHM Semiconductor RSS040P03FU6TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Turn Off Delay Time
45 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
106MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
2W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
58mOhm @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
800pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 5V
上升时间
25ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
4A
阈值电压
-2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
双电源电压
-30V
输入电容
800pF
漏源电阻
58mOhm
最大rds
58 mΩ
栅源电压
-2.5 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RSS040P03FU6TB拓展信息
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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