ROHM Semiconductor RSS090P03TB
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RSS090P03TB
2078-RSS090P03TB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
--最小包装量--
RSS090P03TB详情
ROHM Semiconductor RSS090P03TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Turn Off Delay Time
150 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
电压 - 额定直流
-30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-9A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4000pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
39nC @ 5V
上升时间
50ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
80 ns
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏极-源极导通最大电阻
0.014Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RSS090P03TB拓展信息
ROHM Semiconductor
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