ROHM Semiconductor RSS100N03TB
- 收藏
- 对比
RSS100N03TB
2078-RSS100N03TB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
--最小包装量--
RSS100N03TB详情
ROHM Semiconductor RSS100N03TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
10A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1070pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 5V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
20V
连续放电电流(ID)
10A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RSS100N03TB拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。