RSS100N03TB
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ROHM Semiconductor RSS100N03TB

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型号

RSS100N03TB

utmel 编号

2078-RSS100N03TB

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

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RSS100N03TB ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

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RSS100N03TB详情

ROHM Semiconductor RSS100N03TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    10A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    2W Ta

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铜

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    10A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    13m Ω @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1070pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    14nC @ 5V

  • 上升时间

    16ns

  • Vgs(最大值)

    20V

  • 连续放电电流(ID)

    10A

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    40A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor RSS100N03TB.

RSS100N03TB拓展信息

RU1J002YNTCL
RU1J002YNTCL

ROHM Semiconductor

RTR030N05TL
RTR030N05TL

ROHM Semiconductor

RZM002P02T2L
RZM002P02T2L

ROHM Semiconductor

RYC002N05T316
RYC002N05T316

ROHM Semiconductor

RSD140P06TL
RSD140P06TL

ROHM Semiconductor

RRR040P03TL
RRR040P03TL

ROHM Semiconductor

RJP020N06T100
RJP020N06T100

ROHM Semiconductor

RSM002N06T2L
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ROHM Semiconductor

RS1G180MNTB
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ROHM Semiconductor

RVQ040N05TR
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