ROHM Semiconductor RSY160P05TL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

20W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

50MOhm

端子位置

DUAL

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

20W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2150pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25.5nC @ 5V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

45V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

105 ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-45V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅