ROHM Semiconductor RTF010P02TL

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

25 ns

Power Dissipation (Max)

800mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Ta

已出版

2004

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

390MOhm

端子表面处理

锡铜

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

800mW

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

390m Ω @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.1nC @ 4.5V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

1A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

-20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅