ROHM Semiconductor RTU002P02T106

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

250mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200mW Ta

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.5Ohm

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

电压

20V

元素配置

Single

电流

25A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200mW

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 250mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 10V

上升时间

6ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

250mA

阈值电压

-700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

栅源电压

-700 mV

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅