ROHM Semiconductor RU1C001UNTCL

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-85

引脚数

85

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150mW Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7.1pF @ 10V

上升时间

4ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

100mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

4.2Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.4A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅