ROHM Semiconductor RUL035N02TR
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RUL035N02TR
2078-RUL035N02TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-SMD, Flat Leads
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MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
--最小包装量--
RUL035N02TR详情
ROHM Semiconductor RUL035N02TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
320mW Ta
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
43m Ω @ 3.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
460pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.7nC @ 4.5V
上升时间
20ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏极-源极导通最大电阻
0.053Ohm
漏源击穿电压
20V
高度
820μm
长度
2.1mm
宽度
1.8mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RUL035N02TR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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