ROHM Semiconductor RUM003N02T2L

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150mW Ta

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1Ohm

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150mW

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 300mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

300mA

阈值电压

300mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

20V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅