ROHM Semiconductor RUS100N02TB

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

8mOhm

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 10A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2250pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

1V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

DS 击穿电压-最小值

20V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant