ROHM Semiconductor RV1C002UNT2CL

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

150mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100mW Ta

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 150mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12pF @ 10V

上升时间

4ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

150mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.15A

漏源击穿电压

20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅