ROHM Semiconductor RYC002N05T316

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Power Dissipation (Max)

350mW Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Number of Elements

1

已出版

2011

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2 Ω @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

26pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

50V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

200mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏极-源极导通最大电阻

2.8Ohm

DS 击穿电压-最小值

50V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅