RZL025P01TR
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ROHM Semiconductor RZL025P01TR

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型号

RZL025P01TR

utmel 编号

2078-RZL025P01TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6

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RZL025P01TR
RZL025P01TR ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6

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RZL025P01TR详情

ROHM Semiconductor RZL025P01TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, Flat Leads

  • 引脚数

    6

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    2.5A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.5V 4.5V

  • Power Dissipation (Max)

    1W Ta

  • Turn Off Delay Time

    130 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1W

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    61m Ω @ 2.5A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1350pF @ 6V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    13nC @ 4.5V

  • 上升时间

    35ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • Vgs(最大值)

    ±10V

  • 下降时间(典型值)

    85 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 漏源击穿电压

    -12V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor RZL025P01TR.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RZL025P01TR相似的参数规格。

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RZL025P01TR拓展信息

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