ROHM Semiconductor RZM002P02T2L

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Copper, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150mW Ta

Turn Off Delay Time

17 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 100μA

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2009

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150mW

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

115pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.4nC @ 4.5V

上升时间

4ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

17 ns

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

-20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅