ROHM Semiconductor RZY200P01TL
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RZY200P01TL
2078-RZY200P01TL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, Flat Lead
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MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
--最小包装量--
RZY200P01TL详情
ROHM Semiconductor RZY200P01TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Flat Lead
引脚数
3
供应商器件包装
TCPT3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Ta
Power Dissipation (Max)
20W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
功率耗散
20W
场效应管类型
P-Channel
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±10V
连续放电电流(ID)
20A
漏源击穿电压
-12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RZY200P01TL拓展信息
ROHM Semiconductor
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