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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 RZY200P01TL
RZY200P01TL
RZY200P01TL

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ROHM Semiconductor RZY200P01TL

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型号

RZY200P01TL

品牌

ROHM Semiconductor

utmel 编号

2078-RZY200P01TL

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

3-SMD, Flat Lead

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3

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RZY200P01TL
RZY200P01TL ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3

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RZY200P01TL详情

技术参数

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ROHM Semiconductor RZY200P01TL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    3-SMD, Flat Lead

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TCPT3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A Ta

  • Power Dissipation (Max)

    20W Tc

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 功率耗散

    20W

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • Vgs（最大值）

    ±10V

  • 连续放电电流(ID)

    20A

  • 漏源击穿电压

    -12V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor RZY200P01TL.

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公司资质

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