ROHM Semiconductor SCH2080KEC

工厂交货时间

19 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

262W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大输出电流

2A

通道数量

1

界面

On/Off

元素配置

Single

输出配置

高边

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

262W

接通延迟时间

37 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

117m Ω @ 10A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 4.4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1850pF @ 800V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

106nC @ 18V

上升时间

33ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

+22V, -6V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

40A

阈值电压

2.8V

栅极至源极电压(Vgs)

22V

漏源击穿电压

1.2kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

4 V

高度

25.83mm

长度

15.9mm

宽度

20.95mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅