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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.172284
10
¥3.936112
100
¥3.713314
500
¥3.503129
1000
¥3.304838
ROHM Semiconductor SH8M2TB1
- 收藏
- 对比
SH8M2TB1
2078-SH8M2TB1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SH8M2TB1详情
ROHM Semiconductor SH8M2TB1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最大功率耗散
2W
基本部件号
*M2
功率耗散
2W
功率 - 最大
2W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
83mOhm @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
140pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.5nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
3.5A
漏源击穿电压
30V
输入电容
140pF
场效应管特性
Standard
漏源电阻
107mOhm
最大rds
83 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SH8M2TB1拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







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