ROHM Semiconductor SP8J3FU6TB

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

基本部件号

*J3

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

490pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 5V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

3.5A

阈值电压

-2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant