ROHM Semiconductor SP8K3FU6TB

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

基本部件号

*K3

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.8nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

7A

阈值电压

2.5V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2.5 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅