SP8K80TB1
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Rohm Semiconductor SP8K80TB1

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型号

SP8K80TB1

utmel 编号

2078-SP8K80TB1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

10V DRIVE NCH NCH MOSFET: COMPLE

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SP8K80TB1
SP8K80TB1 Rohm Semiconductor 10V DRIVE NCH NCH MOSFET: COMPLE

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SP8K80TB1详情

Rohm Semiconductor SP8K80TB1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • 供应商器件包装

    8-SOP

  • 厂商

    Rohm Semiconductor

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    500mA (Ta)

  • Continuous Drain Current

    0.5(A)

  • Drain-Source On-Volt

    500(V)

  • Operating Temperature Classification

    Military

  • Package Type

    SOP

  • Operating Temp Range

    -55C to 150C

  • Gate-Source Voltage (Max)

    ±30(V)

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Number of Elements

    2

  • Rad Hardened

  • Mounting

    表面贴装

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2500

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Brand

    ROHM 半导体

  • RoHS

    Details

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -

  • 包装

    卷带

  • 类型

    功率MOSFET

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 引脚数量

    8

  • 极性

    N

  • 功率耗散

    2(W)

  • 功率 - 最大

    2W (Ta)

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    11.7Ohm @ 250mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    23.5pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3.8nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    500V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 场效应管特性

    Standard

  • 产品类别

    MOSFET

0个相似型号

SP8K80TB1拓展信息

EM6K1T2R
EM6K1T2R

ROHM Semiconductor

2SK3018FPDT106
2SK3018FPDT106

ROHM Semicon

VT6K1T2CR
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ROHM Semiconductor

QS8M51TR
QS8M51TR

ROHM Semiconductor

QS5K2TR
QS5K2TR

ROHM Semiconductor

QS6M3TR
QS6M3TR

ROHM Semiconductor

QS6K1TR
QS6K1TR

ROHM Semiconductor

QS6M4TR
QS6M4TR

ROHM Semiconductor

QH8MA4TCR
QH8MA4TCR

ROHM Semiconductor

EM6K34T2CR
EM6K34T2CR

ROHM Semiconductor

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