ROHM Semiconductor TT8J1TR

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

130 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1W

基本部件号

*J1

引脚数量

8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

9 ns

功率 - 最大

1.25W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

61m Ω @ 2.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 4.5V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

12V

下降时间（典型值）

85 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.061Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

DS 击穿电压-最小值

12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant