ROHM Semiconductor TT8K11TCR

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2011

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

71m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1A

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

140pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.5nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

3A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.109Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 4V Drive

RoHS状态

ROHS3 Compliant