ROHM Semiconductor US6J11TR

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

30 ns

Number of Elements

2

已出版

2012

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

最大功率耗散

1W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*J11

引脚数量

6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

8 ns

功率 - 最大

320mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

260m Ω @ 1.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

290pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.4nC @ 4.5V

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

12V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

1.3A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.0013A

DS 击穿电压-最小值

12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅