ROHM Semiconductor US6M1TR

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

25 ns

Number of Elements

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.4A 1A

已出版

2007

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

280MOhm

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

最大功率耗散

1W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1.4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

6M1

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

240m Ω @ 1.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

70pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2nC @ 5V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

30V 20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

1A

栅极至源极电压(Vgs)

-12V

漏源击穿电压

-20V

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2.5 V

宽度

1.7mm

长度

2mm

高度

770μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅