US6M2GTR
US6M2GTR

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥7.73912

  • 10

    ¥7.301059

  • 100

    ¥6.887792

  • 500

    ¥6.497918

  • 1000

    ¥6.130112

ROHM Semiconductor US6M2GTR

  • 收藏
  • 对比

型号

US6M2GTR

utmel 编号

2078-US6M2GTR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2.5V DRIVE NCH PCH MOSFET, 6 PIN

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
US6M2GTR
US6M2GTR ROHM Semiconductor 2.5V DRIVE NCH PCH MOSFET, 6 PIN

单价: $

合计:

库存:1755

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

US6M2GTR详情

ROHM Semiconductor US6M2GTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 包装/外壳

    6-SMD, Flat Leads

  • 安装类型

    表面贴装

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.5A 1A

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    150°C

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率 - 最大

    1W

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    240m Ω @ 1.5A, 4.5V, 390m Ω @ 1A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    80pF @ 10V 150pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V 20V

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: ROHM Semiconductor US6M2GTR.

US6M2GTR拓展信息

EM6K1T2R
EM6K1T2R

ROHM Semiconductor

2SK3018FPDT106
2SK3018FPDT106

ROHM Semicon

VT6K1T2CR
VT6K1T2CR

ROHM Semiconductor

QS8M51TR
QS8M51TR

ROHM Semiconductor

QS5K2TR
QS5K2TR

ROHM Semiconductor

QS6M3TR
QS6M3TR

ROHM Semiconductor

QS6K1TR
QS6K1TR

ROHM Semiconductor

QS6M4TR
QS6M4TR

ROHM Semiconductor

QH8MA4TCR
QH8MA4TCR

ROHM Semiconductor

EM6K34T2CR
EM6K34T2CR

ROHM Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z